Beli Vishay Siliconix SIHU7N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIHU7N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Nomor Bagian

SIHU7N60E-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Bulk

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Paket Perangkat Pemasok

I-PAK

Disipasi Daya (Maks)

78W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

600V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

7A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

40nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

680pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 7363 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIHU2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK