Beli Vishay Siliconix SIHU2N80E-GE3 MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIHU2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Nomor Bagian

SIHU2N80E-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

Paket Perangkat Pemasok

IPAK (TO-251)

Disipasi Daya (Maks)

62.5W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

800V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

2.8A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

2.75 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

19.6nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

315pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 38784 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIHU2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK