SIHU3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
Nomor Bagian
SIHU3N50D-E3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paket Perangkat Pemasok
TO-251AA
Disipasi Daya (Maks)
69W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
500V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
12nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
175pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 30137 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari SIHU3N50D-E3
SIHU3N50D-E3 Komponen elektronik
SIHU3N50D-E3 Penjualan
SIHU3N50D-E3 Pemasok
SIHU3N50D-E3 Distributor
SIHU3N50D-E3 Tabel data
SIHU3N50D-E3 Foto
SIHU3N50D-E3 Harga
SIHU3N50D-E3 Menawarkan
SIHU3N50D-E3 Harga terendah
SIHU3N50D-E3 Mencari
SIHU3N50D-E3 Pembelian
SIHU3N50D-E3 Kepingan