Beli Vishay Siliconix SIHU4N80E-GE3 MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIHU4N80E-GE3

MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Nomor Bagian

SIHU4N80E-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

Paket Perangkat Pemasok

IPAK (TO-251)

Disipasi Daya (Maks)

69W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

800V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

4.3A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

1.27 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

32nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

622pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 7954 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIHU2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK