Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
Nomor Bagian
SIHU5N50D-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paket Perangkat Pemasok
TO-251
Disipasi Daya (Maks)
104W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
500V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
20nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
325pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 47246 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIHU5N50D-GE3
SIHU5N50D-GE3 Komponen elektronik
SIHU5N50D-GE3 Penjualan
SIHU5N50D-GE3 Pemasok
SIHU5N50D-GE3 Distributor
SIHU5N50D-GE3 Tabel data
SIHU5N50D-GE3 Foto
SIHU5N50D-GE3 Harga
SIHU5N50D-GE3 Menawarkan
SIHU5N50D-GE3 Harga terendah
SIHU5N50D-GE3 Mencari
SIHU5N50D-GE3 Pembelian
SIHU5N50D-GE3 Kepingan