Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Nomor Bagian
SIHU6N65E-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Paket Perangkat Pemasok
IPAK (TO-251)
Disipasi Daya (Maks)
78W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
650V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
48nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
820pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 40188 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIHU6N65E-GE3
SIHU6N65E-GE3 Komponen elektronik
SIHU6N65E-GE3 Penjualan
SIHU6N65E-GE3 Pemasok
SIHU6N65E-GE3 Distributor
SIHU6N65E-GE3 Tabel data
SIHU6N65E-GE3 Foto
SIHU6N65E-GE3 Harga
SIHU6N65E-GE3 Menawarkan
SIHU6N65E-GE3 Harga terendah
SIHU6N65E-GE3 Mencari
SIHU6N65E-GE3 Pembelian
SIHU6N65E-GE3 Kepingan