Beli Vishay Siliconix SIHD9N60E-GE3 MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIHD9N60E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK

Nomor Bagian

SIHD9N60E-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

D-PAK (TO-252AA)

Disipasi Daya (Maks)

78W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

600V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

368 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

52nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

778pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 52381 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIHD12N50E-GE3

MOSFET N-CHAN 500V DPAK