Beli Vishay Siliconix SIHD2N80E-GE3 MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIHD2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Nomor Bagian

SIHD2N80E-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

D-PAK (TO-252AA)

Disipasi Daya (Maks)

62.5W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

800V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

2.8A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

2.75 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

19.6nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

315pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 52681 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIHD12N50E-GE3

MOSFET N-CHAN 500V DPAK