Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIHD3N50D-E3

SIHD3N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
Nomor Bagian
SIHD3N50D-E3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Perangkat Pemasok
D-PAK (TO-252AA)
Disipasi Daya (Maks)
69W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
500V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
12nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
175pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 33485 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIHD3N50D-E3
SIHD3N50D-E3 Komponen elektronik
SIHD3N50D-E3 Penjualan
SIHD3N50D-E3 Pemasok
SIHD3N50D-E3 Distributor
SIHD3N50D-E3 Tabel data
SIHD3N50D-E3 Foto
SIHD3N50D-E3 Harga
SIHD3N50D-E3 Menawarkan
SIHD3N50D-E3 Harga terendah
SIHD3N50D-E3 Mencari
SIHD3N50D-E3 Pembelian
SIHD3N50D-E3 Kepingan