Beli Vishay Siliconix SIHD12N50E-GE3 MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIHD12N50E-GE3

MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Nomor Bagian

SIHD12N50E-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TA)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

D-PAK (TO-252AA)

Disipasi Daya (Maks)

114W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

550V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

10.5A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

50nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

886pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 22596 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIHD12N50E-GE3

MOSFET N-CHAN 500V DPAK