Beli Vishay Siliconix SIHJ7N65E-T1-GE3 MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SIHJ7N65E-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Nomor Bagian

SIHJ7N65E-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8

Disipasi Daya (Maks)

96W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

650V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

7.9A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

598 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

44nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

820pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 16258 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIHJ10N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO