Beli Vishay Siliconix SIHJ10N60E-T1-GE3 MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIHJ10N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO

Nomor Bagian

SIHJ10N60E-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8

Disipasi Daya (Maks)

89W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

600V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

50nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

784pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 28838 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIHJ10N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO