Beli Vishay Siliconix SIHJ6N65E-T1-GE3 MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SIHJ6N65E-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Nomor Bagian

SIHJ6N65E-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8

Disipasi Daya (Maks)

74W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

650V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

5.6A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

868 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

32nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

596pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 44863 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIHJ10N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO