Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
TK65G10N1,RQ

TK65G10N1,RQ

MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Nomor Bagian
TK65G10N1,RQ
Seri
U-MOSVIII-H
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
D2PAK
Disipasi Daya (Maks)
156W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
65A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
81nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
5400pF @ 50V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 27631 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari TK65G10N1,RQ
TK65G10N1,RQ Komponen elektronik
TK65G10N1,RQ Penjualan
TK65G10N1,RQ Pemasok
TK65G10N1,RQ Distributor
TK65G10N1,RQ Tabel data
TK65G10N1,RQ Foto
TK65G10N1,RQ Harga
TK65G10N1,RQ Menawarkan
TK65G10N1,RQ Harga terendah
TK65G10N1,RQ Mencari
TK65G10N1,RQ Pembelian
TK65G10N1,RQ Kepingan