FQD19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Nomor Bagian
FQD19N10LTM
Pabrikan/Merek
Seri
QFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Perangkat Pemasok
D-Pak
Disipasi Daya (Maks)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
15.6A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
18nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
870pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 53627 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari FQD19N10LTM
FQD19N10LTM Komponen elektronik
FQD19N10LTM Penjualan
FQD19N10LTM Pemasok
FQD19N10LTM Distributor
FQD19N10LTM Tabel data
FQD19N10LTM Foto
FQD19N10LTM Harga
FQD19N10LTM Menawarkan
FQD19N10LTM Harga terendah
FQD19N10LTM Mencari
FQD19N10LTM Pembelian
FQD19N10LTM Kepingan