Beli ON Semiconductor FQD10N20LTM MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

FQD10N20LTM

MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Nomor Bagian

FQD10N20LTM

Pabrikan/Merek

ON Semiconductor

Seri

QFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paket Perangkat Pemasok

TO-252, (D-Pak)

Disipasi Daya (Maks)

2.5W (Ta), 51W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

200V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

7.6A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

17nC @ 5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

830pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 43081 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

FQD10N20CTF

MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK