Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
FQD10N20LTF

FQD10N20LTF

MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Nomor Bagian
FQD10N20LTF
Pabrikan/Merek
Seri
QFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Perangkat Pemasok
TO-252, (D-Pak)
Disipasi Daya (Maks)
2.5W (Ta), 51W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
17nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
830pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 20102 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari FQD10N20LTF
FQD10N20LTF Komponen elektronik
FQD10N20LTF Penjualan
FQD10N20LTF Pemasok
FQD10N20LTF Distributor
FQD10N20LTF Tabel data
FQD10N20LTF Foto
FQD10N20LTF Harga
FQD10N20LTF Menawarkan
FQD10N20LTF Harga terendah
FQD10N20LTF Mencari
FQD10N20LTF Pembelian
FQD10N20LTF Kepingan