FQD10N20CTM
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Nomor Bagian
FQD10N20CTM
Pabrikan/Merek
Seri
QFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Perangkat Pemasok
D-Pak
Disipasi Daya (Maks)
50W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
7.8A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
26nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
510pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 11715 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari FQD10N20CTM
FQD10N20CTM Komponen elektronik
FQD10N20CTM Penjualan
FQD10N20CTM Pemasok
FQD10N20CTM Distributor
FQD10N20CTM Tabel data
FQD10N20CTM Foto
FQD10N20CTM Harga
FQD10N20CTM Menawarkan
FQD10N20CTM Harga terendah
FQD10N20CTM Mencari
FQD10N20CTM Pembelian
FQD10N20CTM Kepingan