onsemi (Ansemi)
Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
NGTD20T120F2WP Trench Field Stop 1.2kV IGBT 1200V 20A FS2 Die

NGTD20T120F2WP

Trench Field Stop 1.2kV IGBT 1200V 20A FS2 Die
Nomor Bagian
NGTD20T120F2WP
Kategori
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Pabrikan/Merek
onsemi (Ansemi)
Enkapsulasi
SMD
Sedang mengemas
bagged
Jumlah paket
1
Keterangan
Utilizing a durable and cost-effective field-stop II trench structure, this insulated-gate bipolar transistor (IGBT) provides excellent performance in demanding switching applications and also offers low on-state voltage and lowest switching losses .
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 91492 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari NGTD20T120F2WP
NGTD20T120F2WP Komponen elektronik
NGTD20T120F2WP Penjualan
NGTD20T120F2WP Pemasok
NGTD20T120F2WP Distributor
NGTD20T120F2WP Tabel data
NGTD20T120F2WP Foto
NGTD20T120F2WP Harga
NGTD20T120F2WP Menawarkan
NGTD20T120F2WP Harga terendah
NGTD20T120F2WP Mencari
NGTD20T120F2WP Pembelian
NGTD20T120F2WP Kepingan