Beli Vishay Siliconix SISS70DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 125V

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SISS70DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 125V

Nomor Bagian

SISS70DN-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® 1212-8S

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8S

Disipasi Daya (Maks)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

125V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

8.5A (Ta), 31A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

29.8 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

15.3nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

535pF @ 62.5V

Vgs (Maks)

±20V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 26472 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-