Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-
Nomor Bagian
SISS02DN-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET® Gen IV
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8S
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8S
Disipasi Daya (Maks)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
25V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
51A (Ta), 80A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
1.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
83nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
4450pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
+16V, -12V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 46802 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SISS02DN-T1-GE3
SISS02DN-T1-GE3 Komponen elektronik
SISS02DN-T1-GE3 Penjualan
SISS02DN-T1-GE3 Pemasok
SISS02DN-T1-GE3 Distributor
SISS02DN-T1-GE3 Tabel data
SISS02DN-T1-GE3 Foto
SISS02DN-T1-GE3 Harga
SISS02DN-T1-GE3 Menawarkan
SISS02DN-T1-GE3 Harga terendah
SISS02DN-T1-GE3 Mencari
SISS02DN-T1-GE3 Pembelian
SISS02DN-T1-GE3 Kepingan