Beli Vishay Siliconix SISS06DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SISS06DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

Nomor Bagian

SISS06DN-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET® Gen IV

Status Bagian

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® 1212-8S

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8S

Disipasi Daya (Maks)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.2V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

77nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

3660pF @ 15V

Vgs (Maks)

+20V, -16V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 16629 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-