Beli Vishay Siliconix SISS67DN-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SISS67DN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Nomor Bagian

SISS67DN-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET® Gen III

Status Bagian

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® 1212-8S

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8S

Disipasi Daya (Maks)

65.8W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

111nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

4380pF @ 15V

Vgs (Maks)

±25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 10927 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-