Beli Vishay Siliconix SISS23DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SISS23DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Nomor Bagian

SISS23DN-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-PowerVDFN

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Disipasi Daya (Maks)

4.8W (Ta), 57W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 20A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

900mV @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

300nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

8840pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 10937 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-