Beli Vishay Siliconix SISS10DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SISS10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Nomor Bagian

SISS10DN-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-PowerVDFN

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Disipasi Daya (Maks)

57W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

40V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

2.65 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

75nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

3750pF @ 20V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

+20V, -16V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 21196 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-