Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Nomor Bagian
SISS10DN-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-PowerVDFN
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Disipasi Daya (Maks)
57W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
40V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
75nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
3750pF @ 20V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
+20V, -16V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 21196 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SISS10DN-T1-GE3
SISS10DN-T1-GE3 Komponen elektronik
SISS10DN-T1-GE3 Penjualan
SISS10DN-T1-GE3 Pemasok
SISS10DN-T1-GE3 Distributor
SISS10DN-T1-GE3 Tabel data
SISS10DN-T1-GE3 Foto
SISS10DN-T1-GE3 Harga
SISS10DN-T1-GE3 Menawarkan
SISS10DN-T1-GE3 Harga terendah
SISS10DN-T1-GE3 Mencari
SISS10DN-T1-GE3 Pembelian
SISS10DN-T1-GE3 Kepingan