Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIS778DN-T1-GE3

SIS778DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212
Nomor Bagian
SIS778DN-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Last Time Buy
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8
Disipasi Daya (Maks)
52W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
Schottky Diode (Body)
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
42.5nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1390pF @ 15V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 30824 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIS778DN-T1-GE3
SIS778DN-T1-GE3 Komponen elektronik
SIS778DN-T1-GE3 Penjualan
SIS778DN-T1-GE3 Pemasok
SIS778DN-T1-GE3 Distributor
SIS778DN-T1-GE3 Tabel data
SIS778DN-T1-GE3 Foto
SIS778DN-T1-GE3 Harga
SIS778DN-T1-GE3 Menawarkan
SIS778DN-T1-GE3 Harga terendah
SIS778DN-T1-GE3 Mencari
SIS778DN-T1-GE3 Pembelian
SIS778DN-T1-GE3 Kepingan