Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Nomor Bagian
SIS776DN-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
SkyFET®, TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8
Disipasi Daya (Maks)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
Schottky Diode (Body)
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
6.2 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
36nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1360pF @ 15V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 35073 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIS776DN-T1-GE3
SIS776DN-T1-GE3 Komponen elektronik
SIS776DN-T1-GE3 Penjualan
SIS776DN-T1-GE3 Pemasok
SIS776DN-T1-GE3 Distributor
SIS776DN-T1-GE3 Tabel data
SIS776DN-T1-GE3 Foto
SIS776DN-T1-GE3 Harga
SIS776DN-T1-GE3 Menawarkan
SIS776DN-T1-GE3 Harga terendah
SIS776DN-T1-GE3 Mencari
SIS776DN-T1-GE3 Pembelian
SIS776DN-T1-GE3 Kepingan