Beli Vishay Siliconix SIS612EDNT-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SIS612EDNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Nomor Bagian

SIS612EDNT-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® 1212-8S

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Disipasi Daya (Maks)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1.2V @ 1mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

70nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2060pF @ 10V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks)

±12V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 17625 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIS606BDN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212