Beli Vishay Siliconix SIS606BDN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SIS606BDN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Nomor Bagian

SIS606BDN-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET® Gen IV

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® 1212-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® 1212-8

Disipasi Daya (Maks)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

100V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

9.4A (Ta), 35.3A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

17.4 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

30nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1470pF @ 50V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

7.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 31817 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIS606BDN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212