SIHW61N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
Nomor Bagian
SIHW61N65EF-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
E
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-247-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-247AD
Disipasi Daya (Maks)
520W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
650V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
47 mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
371nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
7407pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 52062 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari SIHW61N65EF-GE3
SIHW61N65EF-GE3 Komponen elektronik
SIHW61N65EF-GE3 Penjualan
SIHW61N65EF-GE3 Pemasok
SIHW61N65EF-GE3 Distributor
SIHW61N65EF-GE3 Tabel data
SIHW61N65EF-GE3 Foto
SIHW61N65EF-GE3 Harga
SIHW61N65EF-GE3 Menawarkan
SIHW61N65EF-GE3 Harga terendah
SIHW61N65EF-GE3 Mencari
SIHW61N65EF-GE3 Pembelian
SIHW61N65EF-GE3 Kepingan