Beli Vishay Siliconix SIHW33N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIHW33N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD

Nomor Bagian

SIHW33N60E-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-3P-3 Full Pack

Paket Perangkat Pemasok

TO-247AD

Disipasi Daya (Maks)

278W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

600V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

33A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

99 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

150nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

3508pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 6325 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIHW23N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD