Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3

MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Nomor Bagian
SIHP8N50D-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Disipasi Daya (Maks)
156W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
500V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
30nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
527pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 30917 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIHP8N50D-GE3
SIHP8N50D-GE3 Komponen elektronik
SIHP8N50D-GE3 Penjualan
SIHP8N50D-GE3 Pemasok
SIHP8N50D-GE3 Distributor
SIHP8N50D-GE3 Tabel data
SIHP8N50D-GE3 Foto
SIHP8N50D-GE3 Harga
SIHP8N50D-GE3 Menawarkan
SIHP8N50D-GE3 Harga terendah
SIHP8N50D-GE3 Mencari
SIHP8N50D-GE3 Pembelian
SIHP8N50D-GE3 Kepingan