Beli Vishay Siliconix SIHP11N80E-GE3 MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIHP11N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB

Nomor Bagian

SIHP11N80E-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-220-3

Paket Perangkat Pemasok

TO-220AB

Disipasi Daya (Maks)

179W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

800V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

440 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

88nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1670pF @ 100V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 32780 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIHP050N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V