Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIHP12N50C-E3

SIHP12N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB
Nomor Bagian
SIHP12N50C-E3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
-
Disipasi Daya (Maks)
208W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
500V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
555 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
48nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1375pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 32184 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIHP12N50C-E3
SIHP12N50C-E3 Komponen elektronik
SIHP12N50C-E3 Penjualan
SIHP12N50C-E3 Pemasok
SIHP12N50C-E3 Distributor
SIHP12N50C-E3 Tabel data
SIHP12N50C-E3 Foto
SIHP12N50C-E3 Harga
SIHP12N50C-E3 Menawarkan
SIHP12N50C-E3 Harga terendah
SIHP12N50C-E3 Mencari
SIHP12N50C-E3 Pembelian
SIHP12N50C-E3 Kepingan