SIHP8N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Nomor Bagian
SIHP8N50D-E3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Disipasi Daya (Maks)
156W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
500V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
30nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
527pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 8481 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari SIHP8N50D-E3
SIHP8N50D-E3 Komponen elektronik
SIHP8N50D-E3 Penjualan
SIHP8N50D-E3 Pemasok
SIHP8N50D-E3 Distributor
SIHP8N50D-E3 Tabel data
SIHP8N50D-E3 Foto
SIHP8N50D-E3 Harga
SIHP8N50D-E3 Menawarkan
SIHP8N50D-E3 Harga terendah
SIHP8N50D-E3 Mencari
SIHP8N50D-E3 Pembelian
SIHP8N50D-E3 Kepingan