Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIHP25N50E-GE3

SIHP25N50E-GE3

MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB
Nomor Bagian
SIHP25N50E-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Disipasi Daya (Maks)
250W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
500V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
145 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
86nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1980pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 37594 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIHP25N50E-GE3
SIHP25N50E-GE3 Komponen elektronik
SIHP25N50E-GE3 Penjualan
SIHP25N50E-GE3 Pemasok
SIHP25N50E-GE3 Distributor
SIHP25N50E-GE3 Tabel data
SIHP25N50E-GE3 Foto
SIHP25N50E-GE3 Harga
SIHP25N50E-GE3 Menawarkan
SIHP25N50E-GE3 Harga terendah
SIHP25N50E-GE3 Mencari
SIHP25N50E-GE3 Pembelian
SIHP25N50E-GE3 Kepingan