SIHP24N65E-E3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Nomor Bagian
SIHP24N65E-E3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Disipasi Daya (Maks)
250W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
650V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
145 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
122nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2740pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 10991 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari SIHP24N65E-E3
SIHP24N65E-E3 Komponen elektronik
SIHP24N65E-E3 Penjualan
SIHP24N65E-E3 Pemasok
SIHP24N65E-E3 Distributor
SIHP24N65E-E3 Tabel data
SIHP24N65E-E3 Foto
SIHP24N65E-E3 Harga
SIHP24N65E-E3 Menawarkan
SIHP24N65E-E3 Harga terendah
SIHP24N65E-E3 Mencari
SIHP24N65E-E3 Pembelian
SIHP24N65E-E3 Kepingan