Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIHP23N60E-GE3

SIHP23N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB
Nomor Bagian
SIHP23N60E-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Disipasi Daya (Maks)
227W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
600V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
158 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
95nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2418pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 29231 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIHP23N60E-GE3
SIHP23N60E-GE3 Komponen elektronik
SIHP23N60E-GE3 Penjualan
SIHP23N60E-GE3 Pemasok
SIHP23N60E-GE3 Distributor
SIHP23N60E-GE3 Tabel data
SIHP23N60E-GE3 Foto
SIHP23N60E-GE3 Harga
SIHP23N60E-GE3 Menawarkan
SIHP23N60E-GE3 Harga terendah
SIHP23N60E-GE3 Mencari
SIHP23N60E-GE3 Pembelian
SIHP23N60E-GE3 Kepingan