SIHP21N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB
Nomor Bagian
SIHP21N60EF-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Disipasi Daya (Maks)
227W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
600V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
176 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
84nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2030pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 15594 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari SIHP21N60EF-GE3
SIHP21N60EF-GE3 Komponen elektronik
SIHP21N60EF-GE3 Penjualan
SIHP21N60EF-GE3 Pemasok
SIHP21N60EF-GE3 Distributor
SIHP21N60EF-GE3 Tabel data
SIHP21N60EF-GE3 Foto
SIHP21N60EF-GE3 Harga
SIHP21N60EF-GE3 Menawarkan
SIHP21N60EF-GE3 Harga terendah
SIHP21N60EF-GE3 Mencari
SIHP21N60EF-GE3 Pembelian
SIHP21N60EF-GE3 Kepingan