SIHG33N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Nomor Bagian
SIHG33N60E-E3
Pabrikan/Merek
Seri
E
Status Bagian
Active
Kemasan
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-247-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-247AC
Disipasi Daya (Maks)
278W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
600V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
99 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
150nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
3508pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 26650 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari SIHG33N60E-E3
SIHG33N60E-E3 Komponen elektronik
SIHG33N60E-E3 Penjualan
SIHG33N60E-E3 Pemasok
SIHG33N60E-E3 Distributor
SIHG33N60E-E3 Tabel data
SIHG33N60E-E3 Foto
SIHG33N60E-E3 Harga
SIHG33N60E-E3 Menawarkan
SIHG33N60E-E3 Harga terendah
SIHG33N60E-E3 Mencari
SIHG33N60E-E3 Pembelian
SIHG33N60E-E3 Kepingan