Beli Vishay Siliconix SIHG050N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIHG050N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V

Nomor Bagian

SIHG050N60E-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

Status Bagian

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-247-3

Paket Perangkat Pemasok

TO-247AC

Disipasi Daya (Maks)

278W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

600V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

51A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

130nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

3459pF @ 100V

Vgs (Maks)

±30V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 10246 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIHG039N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V TO247AC