SIHG11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Nomor Bagian
SIHG11N80E-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
E
Status Bagian
Active
Kemasan
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-247-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-247AC
Disipasi Daya (Maks)
179W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
800V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
440 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
88nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1670pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 20279 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari SIHG11N80E-GE3
SIHG11N80E-GE3 Komponen elektronik
SIHG11N80E-GE3 Penjualan
SIHG11N80E-GE3 Pemasok
SIHG11N80E-GE3 Distributor
SIHG11N80E-GE3 Tabel data
SIHG11N80E-GE3 Foto
SIHG11N80E-GE3 Harga
SIHG11N80E-GE3 Menawarkan
SIHG11N80E-GE3 Harga terendah
SIHG11N80E-GE3 Mencari
SIHG11N80E-GE3 Pembelian
SIHG11N80E-GE3 Kepingan