Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIHG21N65EF-GE3

SIHG21N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC
Nomor Bagian
SIHG21N65EF-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-247-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-247AC
Disipasi Daya (Maks)
208W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
650V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
106nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2322pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 17514 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIHG21N65EF-GE3
SIHG21N65EF-GE3 Komponen elektronik
SIHG21N65EF-GE3 Penjualan
SIHG21N65EF-GE3 Pemasok
SIHG21N65EF-GE3 Distributor
SIHG21N65EF-GE3 Tabel data
SIHG21N65EF-GE3 Foto
SIHG21N65EF-GE3 Harga
SIHG21N65EF-GE3 Menawarkan
SIHG21N65EF-GE3 Harga terendah
SIHG21N65EF-GE3 Mencari
SIHG21N65EF-GE3 Pembelian
SIHG21N65EF-GE3 Kepingan