Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIHB30N60E-E3

SIHB30N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Nomor Bagian
SIHB30N60E-E3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
D²PAK (TO-263)
Disipasi Daya (Maks)
250W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
600V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
130nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2600pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 20598 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIHB30N60E-E3
SIHB30N60E-E3 Komponen elektronik
SIHB30N60E-E3 Penjualan
SIHB30N60E-E3 Pemasok
SIHB30N60E-E3 Distributor
SIHB30N60E-E3 Tabel data
SIHB30N60E-E3 Foto
SIHB30N60E-E3 Harga
SIHB30N60E-E3 Menawarkan
SIHB30N60E-E3 Harga terendah
SIHB30N60E-E3 Mencari
SIHB30N60E-E3 Pembelian
SIHB30N60E-E3 Kepingan