Beli Vishay Siliconix SIHB100N60E-GE3 MOSFET E SERIES 600V D2PAK (TO-2

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIHB100N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V D2PAK (TO-2

Nomor Bagian

SIHB100N60E-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

Status Bagian

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paket Perangkat Pemasok

D²PAK (TO-263)

Disipasi Daya (Maks)

208W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

600V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

50nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1851pF @ 100V

Vgs (Maks)

±30V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 35879 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIHB065N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V D2PAK (TO-2