Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIHB12N50C-E3

SIHB12N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Nomor Bagian
SIHB12N50C-E3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
D²PAK (TO-263)
Disipasi Daya (Maks)
208W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
500V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
555 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
48nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1375pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 5251 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIHB12N50C-E3
SIHB12N50C-E3 Komponen elektronik
SIHB12N50C-E3 Penjualan
SIHB12N50C-E3 Pemasok
SIHB12N50C-E3 Distributor
SIHB12N50C-E3 Tabel data
SIHB12N50C-E3 Foto
SIHB12N50C-E3 Harga
SIHB12N50C-E3 Menawarkan
SIHB12N50C-E3 Harga terendah
SIHB12N50C-E3 Mencari
SIHB12N50C-E3 Pembelian
SIHB12N50C-E3 Kepingan