SIHB30N60AEL-GE3
MOSFET N-CHAN 600V D2PAK
Nomor Bagian
SIHB30N60AEL-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
EL
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (D²Pak)
Disipasi Daya (Maks)
250W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
600V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
120nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2565pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 30904 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari SIHB30N60AEL-GE3
SIHB30N60AEL-GE3 Komponen elektronik
SIHB30N60AEL-GE3 Penjualan
SIHB30N60AEL-GE3 Pemasok
SIHB30N60AEL-GE3 Distributor
SIHB30N60AEL-GE3 Tabel data
SIHB30N60AEL-GE3 Foto
SIHB30N60AEL-GE3 Harga
SIHB30N60AEL-GE3 Menawarkan
SIHB30N60AEL-GE3 Harga terendah
SIHB30N60AEL-GE3 Mencari
SIHB30N60AEL-GE3 Pembelian
SIHB30N60AEL-GE3 Kepingan