SIHB22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Nomor Bagian
SIHB22N60E-E3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
D2PAK
Disipasi Daya (Maks)
227W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
600V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
86nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1920pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 17773 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari SIHB22N60E-E3
SIHB22N60E-E3 Komponen elektronik
SIHB22N60E-E3 Penjualan
SIHB22N60E-E3 Pemasok
SIHB22N60E-E3 Distributor
SIHB22N60E-E3 Tabel data
SIHB22N60E-E3 Foto
SIHB22N60E-E3 Harga
SIHB22N60E-E3 Menawarkan
SIHB22N60E-E3 Harga terendah
SIHB22N60E-E3 Mencari
SIHB22N60E-E3 Pembelian
SIHB22N60E-E3 Kepingan