Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIHB21N65EF-GE3

SIHB21N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Nomor Bagian
SIHB21N65EF-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
D²PAK (TO-263)
Disipasi Daya (Maks)
208W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
650V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
106nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2322pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 8881 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIHB21N65EF-GE3
SIHB21N65EF-GE3 Komponen elektronik
SIHB21N65EF-GE3 Penjualan
SIHB21N65EF-GE3 Pemasok
SIHB21N65EF-GE3 Distributor
SIHB21N65EF-GE3 Tabel data
SIHB21N65EF-GE3 Foto
SIHB21N65EF-GE3 Harga
SIHB21N65EF-GE3 Menawarkan
SIHB21N65EF-GE3 Harga terendah
SIHB21N65EF-GE3 Mencari
SIHB21N65EF-GE3 Pembelian
SIHB21N65EF-GE3 Kepingan