Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIHB15N65E-GE3

SIHB15N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Nomor Bagian
SIHB15N65E-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (D²Pak)
Disipasi Daya (Maks)
34W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
650V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
96nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1640pF @ 100V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 23352 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIHB15N65E-GE3
SIHB15N65E-GE3 Komponen elektronik
SIHB15N65E-GE3 Penjualan
SIHB15N65E-GE3 Pemasok
SIHB15N65E-GE3 Distributor
SIHB15N65E-GE3 Tabel data
SIHB15N65E-GE3 Foto
SIHB15N65E-GE3 Harga
SIHB15N65E-GE3 Menawarkan
SIHB15N65E-GE3 Harga terendah
SIHB15N65E-GE3 Mencari
SIHB15N65E-GE3 Pembelian
SIHB15N65E-GE3 Kepingan